HNVHL160N120SC1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:18A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）具有18A的連續漏極電流（ID/A），能夠承受高達1200V的漏源擊穿電壓（VDSS/V）。其導通電阻（RDSON/mR）僅為160毫歐姆，在20V的柵源電壓（VGS/V）下工作。作為一款N溝道MOSFET，它適用于高效率開關電源、太陽能逆變器以及其他需要高性能、高可靠性的電力轉換系統中，能夠在高頻操作條件下減少能量損失，提升整體系統的能效比。
