HSCT20N120_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:17A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有17A的額定電流（ID），適合用于要求不高但需穩定的電流應用中。它擁有1200V的最大漏源電壓（VDSS），能夠在高電壓條件下可靠運作。該MOSFET的導通電阻（RDSON）為160毫歐，雖然較高，但在輕負載條件下依然能保持較好的效率。其柵源電壓（VGS）的適用范圍是-4V至!8V，這使得它能夠適應多種控制信號。此款器件適用于需要高壓、較低功率密度的應用場景，例如便攜式電子設備充電器或小型電源轉換裝置。
