HSCTW60N120G2_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備優(yōu)秀的電氣特性，其連續(xù)電流ID可達(dá)55A，最大漏源電壓VDSS為1200V。導(dǎo)通電阻RDSON僅為40毫歐，有助于減少導(dǎo)通損耗，提高效率。該MOSFET為N溝道類型，柵源電壓VGS的最大值為18V，適用于需要高電壓、大電流及高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)合，如高性能電源供應(yīng)器、可再生能源系統(tǒng)中的逆變技術(shù)以及便攜式充電設(shè)備等，能夠顯著提升系統(tǒng)的整體性能與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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