HSCTW60N120G2_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）具備優秀的電氣特性，其連續電流ID可達55A，最大漏源電壓VDSS為1200V。導通電阻RDSON僅為40毫歐，有助于減少導通損耗，提高效率。該MOSFET為N溝道類型，柵源電壓VGS的最大值為18V，適用于需要高電壓、大電流及高效能轉換的應用場合，如高性能電源供應器、可再生能源系統中的逆變技術以及便攜式充電設備等，能夠顯著提升系統的整體性能與可靠性。
