HSCTW60N120G2_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:55A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:40mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款碳化硅場效應管(MOSFET)具備優秀的電氣特性,其連續電流ID可達55A,最大漏源電壓VDSS為1200V。導通電阻RDSON僅為40毫歐,有助于減少導通損耗,提高效率。該MOSFET為N溝道類型,柵源電壓VGS的最大值為18V,適用于需要高電壓、大電流及高效能轉換的應用場合,如高性能電源供應器、可再生能源系統中的逆變技術以及便攜式充電設備等,能夠顯著提升系統的整體性能與可靠性。
