AP10NA011MT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:75A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）設計用于要求嚴苛的電路環境，提供高達75安培的連續漏極電流和100伏特的漏源極耐壓。其導通電阻僅為7.3毫歐，有助于減少發熱，提高系統效率。該MOSFET的柵源極電壓范圍為20伏特，確保了穩定的開關性能。適用于電源轉換、信號調節及各類電子設備中的開關或放大功能，是追求高性能與可靠性的理想選擇。
