AP10NA011MT_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:75A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:7.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計用于要求嚴苛的電路環(huán)境，提供高達75安培的連續(xù)漏極電流和100伏特的漏源極耐壓。其導(dǎo)通電阻僅為7.3毫歐，有助于減少發(fā)熱，提高系統(tǒng)效率。該MOSFET的柵源極電壓范圍為20伏特，確保了穩(wěn)定的開關(guān)性能。適用于電源轉(zhuǎn)換、信號調(diào)節(jié)及各類電子設(shè)備中的開關(guān)或放大功能，是追求高性能與可靠性的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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