AP10TN010CMT_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:75A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:7.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備75A的最大連續(xù)漏極電流和100V的漏源擊穿電壓，確保了其在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性能。該器件擁有7.3mΩ的導(dǎo)通電阻，有效降低了能量損耗，提升了效率。其柵極閾值電壓為20V，保證了良好的開關(guān)特性，適用于需要精確控制電流的應(yīng)用場景。此MOSFET適用于電源管理、電池充電以及各種需要高效能、低功耗的電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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