AP3N2R8AMT_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:150A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有150A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS）。其極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為2mΩ，在20V的柵源電壓（VGS）條件下工作時(shí)，能顯著減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。適用于需要高效能、低熱耗散的電路設(shè)計(jì)，如電源轉(zhuǎn)換、電池保護(hù)及各類電子裝置中的快速開關(guān)應(yīng)用。其出色的電氣性能和穩(wěn)定性，確保了在復(fù)雜電子環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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