AP3N2R8AMT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:150A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:2mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管(MOSFET)具有150A的最大連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS)。其極低的導通電阻(RDS(on))僅為2mΩ,在20V的柵源電壓(VGS)條件下工作時,能顯著減少功率損耗,提高系統效率。適用于需要高效能、低熱耗散的電路設計,如電源轉換、電池保護及各類電子裝置中的快速開關應用。其出色的電氣性能和穩定性,確保了在復雜電子環境下的可靠運行。
