AP3P020M_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具備11A的最大連續漏極電流（ID），能夠承受高達30V的漏源擊穿電壓（VDSS）。其導通電阻（RDS(on)）僅為13mΩ，在20V的柵源電壓（VGS）下表現出色。該MOSFET適用于要求高效率和低損耗的開關應用，如電源管理、電池充電電路以及各類電子設備中的信號切換。其緊湊的設計和卓越的電氣特性，使得它成為需要精確控制電流流動的應用的理想選擇。
