AP4459M_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:12A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有12A的最大連續(xù)漏極電流和30V的漏源極擊穿電壓，適合應(yīng)用于需要精確電流控制的電路中。其導(dǎo)通電阻僅為10mΩ，顯著減少了發(fā)熱，提高了系統(tǒng)的整體效率。該MOSFET支持最高20V的柵源極電壓，保證了在各種工作條件下的穩(wěn)定性。它廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理及信號處理等應(yīng)用領(lǐng)域，是實現(xiàn)高效、緊湊設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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