AP2307GN-HF_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:4.2A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:48mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管(MOSFET)具備4.2A的最大連續漏極電流(ID)和20V的漏源極間最大電壓(VDSS),適合應用于要求不高但穩定的電路中。其導通電阻(RDON)為48mΩ,雖然較高,但在低功耗需求的應用場景下仍能保持良好的性能。工作柵源電壓(VGS)范圍為±12V,確保了器件在不同條件下的穩定性和可靠性。該MOSFET適用于電源開關、信號放大及各類電子設備中的電流控制,提供精確的操作體驗。
