AP4084CMT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:150A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:2mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）是一款高性能半導體器件，其最大漏極電流ID可達150A，最高漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON僅為2mΩ，適用于高效能轉換和開關應用。其柵源電壓VGS范圍為±20V，確保了穩定的操作性能和廣泛的兼容性。此MOSFET設計優化了能量損耗，特別適合于要求高效率、快速響應的電路中，如電源管理、信號處理等場景。
