AP03N70H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:4A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:2400mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有4A的最大漏極電流ID和650V的擊穿電壓VDSS，能夠承受較高的電壓波動。其導通電阻RDON為2400mΩ，在VGS=30V時表現出色，適用于需要高耐壓和低功耗特性的電路設計。該MOSFET適用于各種精密電子設備中的信號切換與處理，能夠在復雜的工作環境中保持穩定的性能輸出，同時減少能量損失，提高系統整體效率。
