PK632BA_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:150A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道MOSFET具備出色的電氣性能，其最大漏極電流（ID）可達150A，最高漏源電壓（VDSS）為30V，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為2mΩ，支持的最大柵源電壓（VGS）為20V。這些特性使得該場效應(yīng)管適用于要求高效率和低熱損耗的應(yīng)用場景，如電源管理、開關(guān)電源及各類電子設(shè)備中的信號處理與控制電路。其緊湊的設(shè)計和高效能表現(xiàn)，使其成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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