PK632BA_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:150A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:2mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET具備出色的電氣性能，其最大漏極電流（ID）可達150A，最高漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDON）僅為2mΩ，支持的最大柵源電壓（VGS）為20V。這些特性使得該場效應管適用于要求高效率和低熱損耗的應用場景，如電源管理、開關電源及各類電子設備中的信號處理與控制電路。其緊湊的設計和高效能表現，使其成為現代電子產品設計的理想選擇。
