Si2377EDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:4.2A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:48mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管(MOSFET)擁有4.2A的最大連續漏極電流(ID)和20V的最大漏源電壓(VDSS)。其導通電阻(RDON)為48毫歐,在12V柵源電壓(VGS)條件下表現出色。該MOSFET適用于多種電路設計,如電源管理、電池保護以及電子設備中的開關應用。其低導通電阻有助于減少功率損耗,提高整體系統的效率和穩定性。
