Si2377EDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:48mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）擁有4.2A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和20V的最大漏源電壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDON）為48毫歐，在12V柵源電壓（VGS）條件下表現(xiàn)出色。該MOSFET適用于多種電路設(shè)計(jì)，如電源管理、電池保護(hù)以及電子設(shè)備中的開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提高整體系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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