Si2377EDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:48mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）擁有4.2A的最大連續漏極電流（ID）和20V的最大漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDON）為48毫歐，在12V柵源電壓（VGS）條件下表現出色。該MOSFET適用于多種電路設計，如電源管理、電池保護以及電子設備中的開關應用。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提高整體系統的效率和穩定性。
