AP0904GMT_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:6.9mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣性能，最大漏極電流ID可達(dá)60A，擊穿電壓VDSS為40V，導(dǎo)通電阻RDON僅為6.9mΩ，在VGS為20V時(shí)能提供高效能表現(xiàn)。適用于多種電路設(shè)計(jì)中的開(kāi)關(guān)或放大功能，尤其適合要求高效率與低損耗的應(yīng)用場(chǎng)合。其緊湊的設(shè)計(jì)有助于節(jié)省空間，同時(shí)保證了良好的散熱性能，確保在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。此款MOSFET是電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制與轉(zhuǎn)換的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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