AP0904GMT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:6.9mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣性能，最大漏極電流ID可達60A，擊穿電壓VDSS為40V，導通電阻RDON僅為6.9mΩ，在VGS為20V時能提供高效能表現(xiàn)。適用于多種電路設計中的開關或放大功能，尤其適合要求高效率與低損耗的應用場合。其緊湊的設計有助于節(jié)省空間，同時保證了良好的散熱性能，確保在高負載條件下穩(wěn)定運行。此款MOSFET是電子設備中實現(xiàn)精準控制與轉(zhuǎn)換的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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