AP30T10GH_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:35mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備30A的連續漏極電流（ID/A）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS/V），適用于多種高效率電源轉換和管理場景。其導通電阻僅為35mΩ（RDON/mR），確保了低損耗和高效能表現。該器件的最大柵源電壓（VGS/V）為20V，支持穩定可靠的開關操作，適用于要求嚴苛的電路設計中，如開關電源、電池管理和電機驅動等應用領域。
