AP2P052N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:35mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道場效應管（MOSFET）擁有5A的連續(xù)漏極電流（ID/A）和20V的漏源擊穿電壓（VDSS/V），適合應用于各種精密控制和調節(jié)系統。其導通電阻為35mΩ（RDON/mR），有助于減少熱耗散，提高整體效率。最大柵源電壓為12V（VGS/V），保證了器件在不同工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。該MOSFET特別適用于需要高效能和低功耗特性的電路設計，如電源管理、信號切換及保護電路等。
