AP2P052N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:35mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道場效應管(MOSFET)擁有5A的連續(xù)漏極電流(ID/A)和20V的漏源擊穿電壓(VDSS/V),適合應用于各種精密控制和調節(jié)系統。其導通電阻為35mΩ(RDON/mR),有助于減少熱耗散,提高整體效率。最大柵源電壓為12V(VGS/V),保證了器件在不同工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。該MOSFET特別適用于需要高效能和低功耗特性的電路設計,如電源管理、信號切換及保護電路等。
