AP2309GN_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:48mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET具備4.2A的連續漏極電流（ID）與30V的漏源極耐壓（VDSS），確保了其在高功率密度應用中的穩定性能。該元件的導通電阻（RDON）僅為48mΩ，在12V柵源電壓（VGS）下工作時，能有效減少熱損耗，提高效率。適用于電源管理、電池保護及開關控制等電路設計，是實現高效、緊湊解決方案的理想選擇。
