AP3N4R0H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的最大連續漏極電流和30V的漏源擊穿電壓，適用于要求高效率和可靠性的電路設計。其導通電阻僅為3mΩ，在確保高效能的同時，有效降低了功率損耗。該器件支持最高20V的柵源電壓，能夠靈活應對各種應用場景的需求。無論是電源管理還是信號調節，這款MOSFET都能提供穩定的表現，是電子設計中的理想選擇。
