AP3N4R0H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的最大連續(xù)漏極電流和30V的漏源擊穿電壓，適用于要求高效率和可靠性的電路設(shè)計。其導通電阻僅為3mΩ，在確保高效能的同時，有效降低了功率損耗。該器件支持最高20V的柵源電壓，能夠靈活應對各種應用場景的需求。無論是電源管理還是信號調(diào)節(jié)，這款MOSFET都能提供穩(wěn)定的表現(xiàn)，是電子設(shè)計中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
