AP3N4R0H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:120A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:3mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該款N溝道場效應管(MOSFET)具有120A的最大連續漏極電流和30V的漏源擊穿電壓,適用于要求高效率和可靠性的電路設計。其導通電阻僅為3mΩ,在確保高效能的同時,有效降低了功率損耗。該器件支持最高20V的柵源電壓,能夠靈活應對各種應用場景的需求。無論是電源管理還是信號調節,這款MOSFET都能提供穩定的表現,是電子設計中的理想選擇。
