AP3N6R2MT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有優秀的電氣性能，支持最大漏極電流ID為80A，最高漏源電壓VDSS達到30V，且導通電阻RDON僅為4.3mΩ，在VGS=20V條件下能夠實現高效、低損耗的導通。該元件適合應用于要求高效率和快速響應的電路中，例如電源適配器、電池管理系統及各種電子設備內的開關和調節功能。其卓越的性能和可靠性，使得在設計復雜電路時更加靈活可靠。
