AP3N6R2MT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:60A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:4.3mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具有優秀的電氣性能,支持最大漏極電流ID為80A,最高漏源電壓VDSS達到30V,且導通電阻RDON僅為4.3mΩ,在VGS=20V條件下能夠實現高效、低損耗的導通。該元件適合應用于要求高效率和快速響應的電路中,例如電源適配器、電池管理系統及各種電子設備內的開關和調節功能。其卓越的性能和可靠性,使得在設計復雜電路時更加靈活可靠。
