AP3NA7R2AMT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET），擁有80A的連續漏極電流承載能力，最大漏源電壓可達30V，且在20V的柵源電壓下，導通電阻低至4.7mΩ。這些特性使其成為電源轉換與管理、電池充電控制等應用的理想選擇。其低導通電阻特性有效減少了功率損耗，提高了系統效率，同時保證了良好的熱穩定性。適用于要求高效、可靠電流控制的各種電子設備。
