AP3N5R0AMT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:90A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備90A的連續漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源電壓（VDSS/V），適合應用于要求高電流承載能力的場合。其低至3.5mΩ的導通電阻（RDON/mR）有效減少了電力傳輸過程中的能量損失，提高了系統效率。同時，20V的柵源電壓（VGS/V）確保了良好的開關特性和穩定性。此款MOSFET是構建高效能電源轉換器、逆變器以及各種電子電路中理想的選擇。
