AP3N5R0AMT_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備90A的連續(xù)漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源電壓（VDSS/V），適合應(yīng)用于要求高電流承載能力的場合。其低至3.5mΩ的導(dǎo)通電阻（RDON/mR）有效減少了電力傳輸過程中的能量損失，提高了系統(tǒng)效率。同時，20V的柵源電壓（VGS/V）確保了良好的開關(guān)特性和穩(wěn)定性。此款MOSFET是構(gòu)建高效能電源轉(zhuǎn)換器、逆變器以及各種電子電路中理想的選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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