AP3N5R0H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源電壓（VDSS/V），適用于高效率電源轉換和開關應用。其導通電阻（RDON/mR）僅為3.8mΩ，在高頻工作條件下能夠保持較低的功率損耗。該MOSFET的柵極閾值電壓（VGS/V）為20V，確保了穩定的控制性能和開關速度。廣泛適用于各類電子設備中的電源管理和信號處理電路。
