AP3N5R0H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:100A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:3.8mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具有100A的連續漏極電流(ID/A)和30V的最大漏源電壓(VDSS/V),適用于高效率電源轉換和開關應用。其導通電阻(RDON/mR)僅為3.8mΩ,在高頻工作條件下能夠保持較低的功率損耗。該MOSFET的柵極閾值電壓(VGS/V)為20V,確保了穩定的控制性能和開關速度。廣泛適用于各類電子設備中的電源管理和信號處理電路。
