AP3N9R5MT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:50A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:6.5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管(MOSFET)具有出色的電氣特性,最大漏極電流ID可達50A,耐壓VDSS為30V,導通電阻RDON僅為6.5mΩ,在VGS為20V時表現尤為突出。該MOSFET適用于多種電路設計中,如開關電源、電池管理系統及各類電子設備中的信號切換與功率控制等場合,能夠有效提升電路效率并確保穩定運行。其低導通電阻有助于減少發熱,提高能效比,適合對性能有較高要求的應用場景。
