AP3P010H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET場效應管擁有高達80A的最大漏極電流ID，最大漏源電壓VDSS為30V，且具備僅6.5mΩ的低導通電阻RDON。在±20V的柵源電壓VGS范圍內，該元件展現出優異的性能穩定性。適用于多種精密電子設備中，包括但不限于電源轉換、信號放大以及設備保護電路，能夠有效提高系統效率和可靠性，同時減少熱損耗。
