AP3P010H_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款P溝道MOSFET場效應(yīng)管擁有高達(dá)80A的最大漏極電流ID，最大漏源電壓VDSS為30V，且具備僅6.5mΩ的低導(dǎo)通電阻RDON。在±20V的柵源電壓VGS范圍內(nèi)，該元件展現(xiàn)出優(yōu)異的性能穩(wěn)定性。適用于多種精密電子設(shè)備中，包括但不限于電源轉(zhuǎn)換、信號(hào)放大以及設(shè)備保護(hù)電路，能夠有效提高系統(tǒng)效率和可靠性，同時(shí)減少熱損耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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