AP3N5R0AH_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數(shù)1:電流ID:100A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:3.8mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)設(shè)計(jì)用于高效率的電子設(shè)備中,擁有100A的連續(xù)漏極電流(ID/A)和30V的最大漏源電壓(VDSS/V),滿足高功率需求。其導(dǎo)通電阻僅為3.8mΩ(RDON/mR),有助于降低工作時(shí)的熱損耗,提升整體性能。20V的柵源電壓(VGS/V)保證了器件在寬范圍內(nèi)的穩(wěn)定操作。適用于電源管理、信號(hào)放大及各類電子裝置中的開關(guān)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
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