AP3N5R0AH_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計(jì)用于高效率的電子設(shè)備中，擁有100A的連續(xù)漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源電壓（VDSS/V），滿足高功率需求。其導(dǎo)通電阻僅為3.8mΩ（RDON/mR），有助于降低工作時(shí)的熱損耗，提升整體性能。20V的柵源電壓（VGS/V）保證了器件在寬范圍內(nèi)的穩(wěn)定操作。適用于電源管理、信號(hào)放大及各類電子裝置中的開關(guān)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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