AP3N9R5AMT_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有強大的電流承載能力，最大漏極電流ID高達50A，耐壓值VDSS為30V，且導(dǎo)通電阻RDON僅為6.5mΩ，確保了在VGS=20V的工作條件下具有高效的電能轉(zhuǎn)換效率。適用于多種精密電子裝置，如電源適配器、充電器及電子設(shè)備內(nèi)部的開關(guān)控制等，能夠提供快速響應(yīng)和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，同時降低能耗，提高系統(tǒng)整體效能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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