AP3NA7R2AYT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:55A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:4.7mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備55安培的最大連續漏極電流能力和30伏特的最大漏源電壓。其導通電阻僅為4.7毫歐,確保了在20伏特柵源電壓下的高效性能。低導通電阻不僅減少了電力損耗,還降低了發熱量,提升了系統的整體效率。該MOSFET適用于電源管理、電池充電控制及各類需要精密電流控制的電子設備中,能夠實現快速、可靠的開關操作。
