AP3NA7R2AYT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備55安培的最大連續漏極電流能力和30伏特的最大漏源電壓。其導通電阻僅為4.7毫歐，確保了在20伏特柵源電壓下的高效性能。低導通電阻不僅減少了電力損耗，還降低了發熱量，提升了系統的整體效率。該MOSFET適用于電源管理、電池充電控制及各類需要精密電流控制的電子設備中，能夠實現快速、可靠的開關操作。
