AP3P021YT_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:25A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:16mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款P溝道MOSFET具備25A的連續(xù)漏極電流(ID/A)和30V的最大漏源電壓(VDSS/V),確保了其在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性能。其導(dǎo)通電阻僅為16mΩ(RDON/mR),在大電流條件下仍能保持較低的功耗,提高了整體效率。此MOSFET支持最高20V的柵源電壓(VGS/V),適用于多種電源轉(zhuǎn)換和管理電路中,如開關(guān)電源、電池充電器以及各類電子設(shè)備的負(fù)載切換控制等場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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