AP3P021YT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:25A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:16mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款P溝道MOSFET具備25A的連續漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源電壓（VDSS/V），確保了其在高功率應用中的穩定性能。其導通電阻僅為16mΩ（RDON/mR），在大電流條件下仍能保持較低的功耗，提高了整體效率。此MOSFET支持最高20V的柵源電壓（VGS/V），適用于多種電源轉換和管理電路中，如開關電源、電池充電器以及各類電子設備的負載切換控制等場合。
