AP3P021H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET擁有50A的連續漏極電流(ID/A)和30V的最大漏源電壓(VDSS/V)，能夠承受較高的電氣應力，適用于需要大電流和高壓操作的應用場景。其導通電阻低至15mΩ(RDON/mR)，有助于減少能量損耗，提高系統效率。該MOSFET支持最寬達20V的柵源電壓(VGS/V)范圍，提供了靈活的驅動條件。它非常適合用于電源管理、信號切換及各種電子裝置中的負載控制電路。
