AP4459H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有50A的最大連續漏極電流（ID）和30V的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于要求高效率和可靠性的電路設計。其導通電阻（RDS(on)）僅為15mΩ，在大電流應用中能有效降低功耗。該器件的工作電壓范圍寬廣，最大柵源電壓（VGS）可達±20V，確保了在各種條件下的穩定性能。此MOSFET適合用于電源管理、信號切換等應用場景，能夠實現快速響應與高效轉換。
