AP3P080N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:45mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有4.2A的最大漏極電流（ID）和30V的漏源極間最大耐壓（VDSS）。其導通電阻（RDON）為45mΩ，在輕負載條件下也能保持較低的功耗。柵源極電壓（VGS）范圍為±12V，確保了在多種應用場景下的兼容性和穩定性。該MOSFET適用于便攜式電子設備、電池管理系統以及開關電源等領域的電路設計，能夠實現高效、可靠的開關與調節功能。
