AP65AN1K2IN_TO-220F_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:860mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有10安培的最大連續(xù)漏極電流和650伏特的漏源極斷態(tài)電壓，確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。其導通電阻為860毫歐，適用于要求高效能與低損耗的電路設(shè)計。支持最大30伏特的柵源電壓，增強了其在復雜電路配置中的適用性。這款MOSFET特別適合用于電源管理、信號放大及各類電子設(shè)備中的開關(guān)控制應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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