AP60AN650IN_TO-220F_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:16A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:450mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備16A的連續(xù)漏極電流（ID）和650V的漏源極斷態(tài)電壓（VDSS），在30V的柵源電壓（VGS）條件下，其導(dǎo)通電阻（RDON）低至450毫歐。該MOSFET適用于多種高性能電路設(shè)計(jì)，包括但不限于開關(guān)電源、逆變器以及電池管理等應(yīng)用場景。其優(yōu)異的電性能和熱穩(wěn)定性，使得它能夠在各種復(fù)雜環(huán)境中保持高效運(yùn)行，同時(shí)減少能量損失，提高系統(tǒng)的整體效能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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