AP60AN650IN_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:16A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:450mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備16A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源極斷態電壓（VDSS），在30V的柵源電壓（VGS）條件下，其導通電阻（RDON）低至450毫歐。該MOSFET適用于多種高性能電路設計，包括但不限于開關電源、逆變器以及電池管理等應用場景。其優異的電性能和熱穩定性，使得它能夠在各種復雜環境中保持高效運行，同時減少能量損失，提高系統的整體效能。
