AP4463MT_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:70A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）擁有高達(dá)70A的最大漏極電流ID和30V的最大漏源電壓VDSS，同時(shí)具備僅6mΩ的導(dǎo)通電阻RDON，當(dāng)柵源電壓VGS為20V時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高效導(dǎo)電。適用于各種精密電子設(shè)備中的電源開(kāi)關(guān)、邏輯電平轉(zhuǎn)換和負(fù)載控制等應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效降低能耗，提高系統(tǒng)效率。其優(yōu)異的電氣特性和穩(wěn)定性，確保了在復(fù)雜電路環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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