AP4463MT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:70A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）擁有高達70A的最大漏極電流ID和30V的最大漏源電壓VDSS，同時具備僅6mΩ的導通電阻RDON，當柵源電壓VGS為20V時，可實現高效導電。適用于各種精密電子設備中的電源開關、邏輯電平轉換和負載控制等應用場景，能夠有效降低能耗，提高系統效率。其優異的電氣特性和穩定性，確保了在復雜電路環境下的可靠運行。
