AP60AN1K3IT_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:860mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備10A的最大連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），確保了其在高電壓環境下的穩定性能。該器件擁有860mΩ的導通電阻（RDS(on)），在低功耗設計中表現出色，有助于提高整體效率。其柵源電壓（VGS）范圍為±30V，提供了寬泛的工作條件，適用于多種電路設計。此MOSFET適用于電源轉換、電機控制等需要高效能開關的應用場景。
