AP4P012LEH_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具備50A的最大連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），適合應用于需要大電流處理能力的電路中。其超低的導通電阻（RDS(on)）僅為10mΩ，有效減少了工作時的功率損耗，提升了整體效率。該MOSFET支持±20V的柵源電壓（VGS），提供了靈活的控制選項。它廣泛適用于電源管理、信號切換和負載控制等場合，是實現高效、可靠電路設計的理想選擇。
