AP4P012LEH_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備50A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），適合應(yīng)用于需要大電流處理能力的電路中。其超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為10mΩ，有效減少了工作時(shí)的功率損耗，提升了整體效率。該MOSFET支持±20V的柵源電壓（VGS），提供了靈活的控制選項(xiàng)。它廣泛適用于電源管理、信號(hào)切換和負(fù)載控制等場(chǎng)合，是實(shí)現(xiàn)高效、可靠電路設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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