AP60AN650IT_TO-220F_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:16A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:450mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），擁有16A的最大漏極電流（ID）和650V的漏源極間擊穿電壓（VDSS），在30V柵源電壓（VGS）下工作時(shí)，其導(dǎo)通電阻（RDON）低至450毫歐。這些特性使其非常適合用于高效能的電源管理解決方案，如開(kāi)關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)中的快速切換和低損耗要求。其緊湊的設(shè)計(jì)和優(yōu)秀的熱性能，確保了在密集型應(yīng)用中也能保持良好的散熱效果，從而提升整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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