AP4P090N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:68mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有5A的最大連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），適合用于要求精確電流控制的電路中。其導通電阻（RDS(on)）僅為68mΩ，在降低功率損耗的同時提高了效率。該MOSFET的柵源電壓（VGS）范圍是±20V，能夠適應廣泛的驅動條件。此元件特別適用于電池供電設備中的電源管理、信號切換及負載控制等應用，確保系統運行的可靠性和穩定性。
