AP65AN1K2IT_TO-220F_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:860mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有10A的最大連續(xù)漏極電流和650V的漏源耐壓，適用于需要高電壓承受能力的應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻為860mΩ，雖然相對(duì)較高，但在某些低頻開(kāi)關(guān)或限流保護(hù)電路中仍能提供有效的性能。該MOSFET支持高達(dá)30V的柵源電壓，確保了在不同工作條件下的靈活性和穩(wěn)定性，是構(gòu)建高效電源轉(zhuǎn)換器、信號(hào)調(diào)節(jié)電路的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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