AP6NA3R2LMT_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:125A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:2.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有強(qiáng)大的電氣性能，最大漏極電流ID高達(dá)125A，耐壓值VDSS為60V，同時(shí)具備僅2.4mΩ的低導(dǎo)通電阻RDON，顯著降低了功率損耗。其支持的柵源電壓VGS范圍是±20V，保證了寬泛的工作條件下的穩(wěn)定性。此MOSFET適合應(yīng)用于各種需要高效能開關(guān)和調(diào)節(jié)功能的電路設(shè)計(jì)，例如電源轉(zhuǎn)換、電子負(fù)載控制等領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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