AP6NA3R2LMT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:125A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）擁有強大的電氣性能，最大漏極電流ID高達125A，耐壓值VDSS為60V，同時具備僅2.4mΩ的低導通電阻RDON，顯著降低了功率損耗。其支持的柵源電壓VGS范圍是±20V，保證了寬泛的工作條件下的穩定性。此MOSFET適合應用于各種需要高效能開關和調節功能的電路設計，例如電源轉換、電子負載控制等領域。
