PK501BA_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:70A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET場效應管，具有70安培的最大連續漏極電流（ID）和30伏特的最大漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDS(on)）僅為6毫歐姆，在確保高效性能的同時降低了功率損耗。該器件支持最高±20伏特的柵源電壓（VGS），適用于各種需要精準控制和高效能源管理的電子設備中。無論是作為開關還是放大元件，都能提供出色的穩定性和可靠性，滿足多樣化的應用需求。
