AP6NA3R2MT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:125A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有卓越的電氣特性，最大漏極電流ID為125A，耐壓值VDSS達到60V，導通電阻RDON低至2.4mΩ，有效減少了功率損耗。支持的柵源電壓VGS范圍為±20V，確保了穩定的操作性能。該元件適用于需要高效率轉換和控制的電路中，如電源供應、逆變器及各類電子設備中的信號處理與控制環節。
