AP6NA3R2MT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:125A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:2.4mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具有卓越的電氣特性,最大漏極電流ID為125A,耐壓值VDSS達到60V,導通電阻RDON低至2.4mΩ,有效減少了功率損耗。支持的柵源電壓VGS范圍為±20V,確保了穩定的操作性能。該元件適用于需要高效率轉換和控制的電路中,如電源供應、逆變器及各類電子設備中的信號處理與控制環節。
