AP6N036H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備20A的最大漏極電流ID和60V的漏源電壓VDSS，確保了在高電壓環境下的穩定工作能力。其導通電阻RDON為27mΩ，在20V的柵源電壓VGS條件下，能有效減少功率損耗，提高轉換效率。該MOSFET適用于多種電子設備中的電源管理和信號處理，如開關電源、電池充電器以及數字邏輯電路設計，能夠滿足對效率和性能有較高要求的應用需求。
