AP6N036H_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:27mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備20A的最大漏極電流ID和60V的漏源電壓VDSS，確保了在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作能力。其導(dǎo)通電阻RDON為27mΩ，在20V的柵源電壓VGS條件下，能有效減少功率損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。該MOSFET適用于多種電子設(shè)備中的電源管理和信號處理，如開關(guān)電源、電池充電器以及數(shù)字邏輯電路設(shè)計(jì)，能夠滿足對效率和性能有較高要求的應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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