AP6N036H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:27mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管(MOSFET)具備20A的最大漏極電流ID和60V的漏源電壓VDSS,確保了在高電壓環境下的穩定工作能力。其導通電阻RDON為27mΩ,在20V的柵源電壓VGS條件下,能有效減少功率損耗,提高轉換效率。該MOSFET適用于多種電子設備中的電源管理和信號處理,如開關電源、電池充電器以及數字邏輯電路設計,能夠滿足對效率和性能有較高要求的應用需求。
