ASDM3416EZA-R_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:6A 參數(shù)2:電壓VDSS:20V 參數(shù)3:RDON:16mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有優(yōu)秀的電氣性能,適用于各類精密電子設(shè)備。其最大漏極電流ID為6A,最高漏源電壓VDSS達(dá)到20V,能夠應(yīng)對復(fù)雜電路環(huán)境下的需求。導(dǎo)通電阻RDON低至16mΩ,有助于減少熱損耗,提高能效。該MOSFET支持的最大柵源電壓VGS為12V,保證了在不同工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。它非常適合用于電源轉(zhuǎn)換、信號放大及開關(guān)控制等應(yīng)用場合,是實現(xiàn)高效、緊湊設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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