SM3303PSQGC-TRG_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款P溝道MOSFET場效應(yīng)管擁有55A的最大連續(xù)漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源極電壓（VDSS/V），適用于需要高電流處理能力的應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻低至8毫歐（RDON/mR），有效減少了工作時的功率損耗，提高了效率。該器件支持最高±20V的柵源極電壓（VGS/V），確保了廣泛的兼容性和穩(wěn)定性。這款MOSFET適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)以及各種需要快速、精確開關(guān)控制的電子設(shè)備中，能夠提供可靠且高效的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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