P3203CMG_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5.8A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣特性，其最大漏極電流ID可達5.8A，最大漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON僅為22mΩ，在VGS為20V時性能尤為突出。這些參數確保了該MOSFET在高效率開關應用中表現出色，適用于各種電源管理方案及便攜式電子設備中的信號處理任務。其低導通電阻有助于減少能耗，提高系統整體效率。同時，緊湊的封裝設計使其易于集成到空間受限的設計中，滿足現代電子產品對小型化和高性能的雙重需求。
