P3203CMG_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:5.8A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:22mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管(MOSFET)具備出色的電氣特性,其最大漏極電流ID可達5.8A,最大漏源電壓VDSS為30V,導通電阻RDON僅為22mΩ,在VGS為20V時性能尤為突出。這些參數(shù)確保了該MOSFET在高效率開關應用中表現(xiàn)出色,適用于各種電源管理方案及便攜式電子設備中的信號處理任務。其低導通電阻有助于減少能耗,提高系統(tǒng)整體效率。同時,緊湊的封裝設計使其易于集成到空間受限的設計中,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對小型化和高性能的雙重需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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