ME2309_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）的最大漏極電流ID為2A，最大漏源電壓VDSS高達60V，導通電阻RDON為160mΩ，在VGS為20V時性能穩定。這些參數表明它非常適合應用于要求較高的開關電源和電池管理系統中，能夠有效地控制電流的通斷，同時保持較低的功耗。其緊湊的設計和可靠的性能，使之成為便攜式電子設備和復雜電路設計的理想選擇，確保了在多種應用環境下的穩定運行。
