ASDM20N60KQ-R_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續(xù)漏極電流承載能力，最大漏源電壓耐受值達到20V，導通電阻僅為6mΩ，在12V的柵源電壓下能保持良好的工作狀態(tài)。該MOSFET適用于要求高效率和低熱損耗的應用場景，如開關電源、電池管理系統(tǒng)及各種電子設備中的負載控制電路等。其出色的電氣特性確保了在緊湊設計中實現(xiàn)高性能表現(xiàn)，同時支持快速開關動作，有助于減少能耗并提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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