PPMT12V4_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有5A的最大連續(xù)漏極電流和20V的漏源擊穿電壓，其導(dǎo)通電阻為35mΩ，確保了在低功耗下的高效運(yùn)行。該MOSFET的柵源電壓閾值為12V，適用于需要精確控制和快速響應(yīng)的電路中，如電源切換、邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。其小巧的設(shè)計和優(yōu)異的電氣性能，使其成為各種電子項目中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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