AP4453GYT_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:32A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道MOSFET場效應(yīng)管具備卓越的性能參數(shù)，包括最大漏極電流ID為32A，擊穿電壓VDSS為30V，以及在VGS=25V條件下的導(dǎo)通電阻RDON低至10mΩ。這些特性使得該器件非常適合用于要求高效率與低熱耗散的應(yīng)用場合，例如電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及各類便攜式設(shè)備中的開關(guān)控制。其小巧的封裝與高效的電性能，為設(shè)計(jì)者提供了靈活性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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