AP4453GYT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET場效應管具備卓越的性能參數，包括最大漏極電流ID為32A，擊穿電壓VDSS為30V，以及在VGS=25V條件下的導通電阻RDON低至10mΩ。這些特性使得該器件非常適合用于要求高效率與低熱耗散的應用場合，例如電源轉換、電池管理系統及各類便攜式設備中的開關控制。其小巧的封裝與高效的電性能，為設計者提供了靈活性與可靠性。
